Verticale
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Analisi delle proprietà del trasporto di carica in materiali GST per dispositivi di memoria a cambiamento

Lo sviluppo dei sistemi di memoria di futura generazione è guidato principalmente dalla ricerca di una tecnologia in grado di superare quelle attuali in ogni loro specifica di funzionamento, dalla ritenzione di dato alla velocità di accesso, migliorandone la durata e riducendo il dispendio energetico. Il sottosistema delle memorie assorbe una parte significativa delle risorse del macro sistema costituito dal calcolatore, tanto da aver quasi raggiunto il limite tecnologico nel caso delle odierne memorie di tipo DRAM. La soluzione più promettente sembra essere quella delle memorie a cambiamento di fase (PCM), in grado di colmare anche i limiti mostrati dalla tecnologia Flash nell’ambito della durata e scalabilità.

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Articoli tecnico scientifici o articoli contenenti case history
Dottorato, Università degli Studi di Bologna, Anno Accademico 2012- 2013




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